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　　近日中国电科公布一系列成果，显示在国产碳化硅（SiC）设备及器件上取得突破。

　　全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。报道称，750V碳化硅功率芯片技术达到国际先进水平，目前已正式进入产品级测试阶段。

　　在IM电竞 竞猜 IM电竞娱乐2in1碳化硅功率模块项目中，双方技术团队围绕新结构、新工艺、新材料开展联合攻关，实现芯片

　　装车量达百万辆，处于国IM电竞 IM电竞官网内领先地位，5G****用氮化镓功率管和高线性二极管等系列产品性能及可靠性国内领先。同时，在SiC定制化和研发难度较高的设备端，中国电科48所研制的

　　据悉，由于碳化硅材料高熔点、高密度、高硬度的特性，使芯片具备了耐高压、耐高温、低损耗IM电竞 IM电竞官网等优越性能，碳化硅外延生长炉是晶圆制造环节的专用核心装备。

　　碳化硅外IM电竞 竞猜 IM电竞娱乐延生长炉，主要用于在碳化硅晶圆衬底上生长同质外延材料，每一颗碳化硅芯片都是基于外延层制造的结晶。48所技术专家表示，碳化硅外延生长炉是承接衬底和芯片制造的关键环节，

　　早期国内碳化硅外延片研究和生产几乎全部依赖进口，48所通过自主研发，研制出完全

　　据报道，随着国家第三代半导体技术创新中心（湖南）的实体化运行，48所以外延、注入、氧化、激活等专用装备为核心，结合立式扩散炉、PVD等通用设备和半导体芯片生产线建线经验，实现